Crystals 与中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会建立合作关系 | MDPI News
发表时间:2024-01-31 阅读量:406
2024年1月,MDPI期刊 Crystals (ISSN 2073-4352, IF 2.7) 与中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会 (Professional Committee of Key Materials and Technology for Electronic Components, PC-KMTEC) 建立合作关系。PC-KMTEC所有会员在 Crystals 的投稿都将享受文章处理费折扣。新合作关系将为专委会会员的投稿提供便利,Crystals 期刊将会利用自身优势,加快研究者科研成果的在线出版。
PC-KMTEC简介
电子元器件关键材料与技术专委会 (简称专委会) 是中国仪表功能材料学会下面的专业委员会,2017年11月24日正式成立于青岛市,旨在跟踪世界电子元器件和中国学者的研发动向与进展,团结全国从事电子元器件相关材料领域的专家学者,共同推动本领域的基础研究和产学研合作,针对存在的“卡脖子”问题开展攻关。冀望通过交流,团结全国范围内电子元器件领域相关同仁,总结出电子元器件关键材料和技术发展新举措,找出其科技发展新特点,促进我国电子元器件关键材料和技术的发展、提高整体水平、推动电子信息产业发展,进而提升本领域的国际影响力。
期刊简介
Crystals 创刊于2011年,是一个国际性、经同行评审的开放获取期刊。期刊主题涵盖与晶体材料、晶体学研究相关的多个方面。
Prof. Dr. Alessandra Toncelli
意大利比萨大学
◎ 更高文章曝光度
Crystals 目前已被SCIE、Scopus等重要数据库收录。
◎ 更快发表速度
Time to First Decision |
10.6 Days |
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Acceptance to Publication |
2.7 Days |
◎ 开放获取
读者可以免费阅读期刊文章。
◎ 作者持有版权
精选文章
01. Crucial Role of Oxygen Vacancies in Scintillation and Optical Properties of Undoped and Al-Doped β-Ga2O3 Single Crystals
氧空位在未掺杂和铝掺杂β-Ga2O3单晶的闪烁和光学性质中的关键作用
本文研究了氧空位和镓空位对未掺杂β-Ga2O3晶体和2.5 mol%铝掺杂β-Ga2O3的光学与闪烁特性影响。对于未掺杂的β-Ga2O3,在氧气或氮气气氛中退火后透光率均得到提高;引入铝元素后,吸收截止边出现轻微蓝移、带隙增大。对于未掺杂的生长态β-Ga2O3单晶,衰减时间由一个纳秒级的快分量和两个几十到几百纳秒的慢分量组成,快速衰减时间分量对衰减时间的贡献为2.78%;而对于铝掺杂的β-Ga2O3,快分量时间为2.33 ns,贡献率为68.02%,然而脉冲高度谱表明,引入2.5 mol%的铝掺杂会降低β-Ga2O3晶体的光输出功率。
原文出自 Crystals 期刊:
Tian, R.; Pan, M.; Sai, Q.; Zhang, L.; Qi, H.; Mohamed, H.F. Crucial Role of Oxygen Vacancies in Scintillation and Optical Properties of Undoped and Al-Doped β-Ga2O3 Single Crystals. Crystals 2022, 12, 429.
02. Review on Y6-Based Semiconductor Materials and Their Future Development via Machine Learning
基于机器学习的Y6基半导体材料及其未来发展综述
非富勒烯受体有望在有机太阳能电池 (OSCs) 中实现高效率。Y6基受体是一种新型n型半导体,2019年报道其功率转换效率 (PCE) 达到15.7%,这引起了人们的极大关注。此后科学家们试图从选择新的供体、调整Y6结构、设备工程等不同方面提高效率。在这篇综述中,作者总结了近三年来通过Y6材料的性能、改进Y6结构提高功率转换效率的七种关键方法,以及有机太阳能电池的基本原理和参数。最后,作者分享了通过机器学习设计具有所需性能的多功能有机器件的可能性、必要性、挑战和潜在应用的观点。
原文出自 Crystals 期刊:
Zhong, S.; Yap, B.K.; Zhong, Z.; Ying, L. Review on Y6-Based Semiconductor Materials and Their Future Development via Machine Learning. Crystals 2022, 12, 168.
03. A Review on Precision Polishing Technology of Single-Crystal SiC
单晶SiC精密抛光技术综述
本文针对半导体材料单晶碳化硅 (4H-SiC和6H-SiC) 的精密抛光技术,如化学机械抛光 (CMP)、光催化化学机械抛光 (PCMP)、等离子体辅助抛光 (PAP)、电化学机械抛光 (ECMP) 和催化盘辅助刻蚀 (CARE) 进行了综述,重点从实验装置、抛光机理、材料去除率 (MRR) 和表面粗糙度等方面进行了分析比较。此外,还讨论了超声波振动辅助抛光和电解质等离子体抛光 (EPP),并展望了进一步提高表面质量和材料去除率的研究方向。
原文出自 Crystals 期刊:
Ma, G.; Li, S.; Liu, F.; Zhang, C.; Jia, Z.; Yin, X. A Review on Precision Polishing Technology of Single-Crystal SiC. Crystals 2022, 12, 101.