诸葛飞 研究员

中国科学院宁波材料技术与工程研究所

博士生导师。本科和硕士毕业于西安交通大学，博士毕业于浙江大学，其后在广岛大学以日本学术振兴会 (JSPS) 特别研究员身份从事博士后研究，2008年至今在中国科学院宁波材料所工作，2018年入选中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心骨干人才。主要从事低维半导体材料与器件及其在类脑人工智能领域的应用研究。迄今在 Applied Physics Reviews、Advanced Materials、Nano Letters 等期刊发表论文70余篇，被引用6000余次。获第49届日内瓦国际发明展金奖、浙江省自然科学一等奖、中国电子学会科技二等奖各1项。主持中国科学院战略性先导科技专项 (B类) 子课题、国家自然科学基金 (重点项目等7项)、浙江省杰出青年基金等项目。现担任 Frontiers in Neuroscience 和 Frontiers in Photonics 副编辑、Journal of Physics: Materials 和 Micromachines 编委。

报告题目：全光控忆阻器

报告简介：受限于计算机冯·诺依曼瓶颈，传统人工智能技术越来越难以满足人类社会对海量信息的实时高效处理需求。在物理层面直接模拟人脑结构和功能的类脑计算属于新一代人工智能，有望在速度、能耗等方面全面超越现有技术。忆阻器是实现类脑计算的理想选择，其中光电忆阻器兼具光子学和电子学优势，吸引了越来越多研究人员关注。但是，光只能实现器件电导单向调控，极大制约了光电忆阻器发展。我们基于氧化物材料，突破了这个瓶颈，首次实现了全光控忆阻器，其工作机制不涉及微结构变化，从而为克服忆阻器稳定难题和实现超低功耗提供了一条全新途径。我们基于全光控忆阻器构建了新一代感存算一体视觉芯片。我们的发现为类脑神经形态器件的研究和应用打开了一扇新窗口。

臧志刚 教授

重庆大学光电工程学院

国家级青年人才、重庆市杰出青年基金获得者、科睿唯安全球“高被引科学家”。主要研究方向为低维半导体薄膜光电器件。以通讯作者在 Nat. Energy、Joule、Sci. Adv.、Nat. Comm.、Adv. Mater.、Energy Environ. Sci. 等国际著名期刊发表SCI论文200余篇，他引2.5万余次，ESI论文38篇；国家授权发明专利20余件，转让5项。以第一完成人在Springer、Wiley及科学出版社出版专著3部；主持和完成国家国防科工局基础研究计划、173重点、军委总装备部、军口863、国家自然基金及军口横向等项目20余项。以第一完成人荣获重庆市自然科学二等奖、重庆市十佳青年科技奖、重庆市创新争先奖、中国发明协会人物奖、中国产学研合作创新奖、国际IEEE光子学会青年科学家奖、川渝科技论文特等奖等奖励。

报告题目：金属卤化物的光学性能调控及X射线探测与成像的研究

报告简介：X射线探测及成像技术广泛应用在核能利用、医学诊疗、安防安检和深空探测等领域。对于X射线探测与成像系统而言，其成像质量主要取决于高能射线吸收半导体材料。本报告针对传统X射线探测材料灵敏度低、稳定性差等问题，聚焦新型金属卤化物半导体材料。通过探索不同合成方法，设计制备了铅基和铜基卤化物晶体，系统研究了其结构、形貌、光学性质与稳定性。研究旨在克服间接探测中分辨率与探测极限相互制约，以及直接探测中暗电流大、灵敏度与探测极限难以兼得的难题，为发展高性能、低成本的下一代X射线探测成像器件提供材料基础与解决方案。

吕建国 副研究员

浙江大学材料科学与工程学院

浙江大学材料学院、硅及先进半导体材料全国重点实验室副研究员，博士生导师。浙江省杰出青年基金获得者、浙江省151人才工程入选者、浙江省钱江人才。担任 Chinese Chem. Lett.、Tungsten、Materials 等期刊编委。主要从事过渡金属VI族化合半导体材料的研究，应用于光电器件与电化学储能。获国家自然科学二等奖1项 (排名第三)、浙江省科学技术一等奖3项、教育部科技进步二等奖1项、全国百篇优博论文提名奖；授权国家发明专利30余件。出版“十二五”国家级规划教材1部 (获全国优秀教材二等奖)、中英文专著2部。在 Chem. Soc. Rev.、Adv. Mater. 等期刊发表SCI论文300余篇，其中ESI热点论文1篇，ESI高被引论文15篇，SCI引用12000余次，H因子61。入选中国高被引学者、全球前2%顶尖科学家等。作为大会主席，组织会议1次；作为分会主席/召集人，组织会议近10次；在国内外学术会议做大会/主旨/邀请报告50余次。

报告题目：非晶氧化物半导体与人工神经突触

报告简介：ZnO基材料在第三代半导体中占有重要地位，本报告主要介绍ZnO基非晶氧化物半导体 (AOS) 薄膜及其在人工神经突触等光电器件中的应用。开发出ZnMSnO的AOS新体系，研制出超高迁移率的AOS薄膜晶体管 (TFT)，以及多态存储、可自修复的忆阻器；基于TFT和忆阻器结构，研制出以非晶ZnAlSnO为主要功能层的系列人工突触器件，采用光电多模态输入，实现多目标神经形态模拟与功能识别，特别是研制出全光控神经突触器件，提出了理论模型，解决了基于红绿蓝 (RGB) 三原色在可见光区域的光写入与光擦除的全光控操作难题。期待我们的工作能够为新型半导体材料与类脑智能的发展做出贡献！

3.2
(JCR Q2*)

6.4
(Scopus Q1*）

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Acceptance to Publication